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世界第一只砷化镓基激射激光器研制成功科技动态行业资讯资讯-【资讯】

发布时间:2021-07-24 02:15:47 阅读: 来源:木炭机厂家

由中国科学院半导体所承担的国家"973"、"863"和中科院重大项目"新一代镓铟氮砷(GaInNAs)长波长光电子材料与器件",于近日成功研制出工作波长1.58微米的镓铟氮砷锑/镓砷长波长(GaInNAsSb/GaAs)单量子阱边发射激光器,实现室温连续激射,其性能参数如阈值电流达到镓砷(GaAs)基1.2至1.6微米波段的同类激光器水平,超越国际同行1.5微米的研究结果。

该课题组研究人员在分子束外延生长高质量1.3微米量子阱材料的基础上,通过增加氮的并入量和采用镓氮砷(GaNAs)垒层,将量子阱的发光波长拓展到了1.55微米,同时运用锑元素作为生长过程中的表面活性剂,优化退火条件,大大改善了晶体质量,使材料质量达到了制作激光器的要求。

此次研制成功的激光器采用脊形波导条形结构,实现了1.58微米室温连续激射。这是世界上首次实现镓氮砷(GaAs)基稀氮化合物半导体激光器1.5微米以上的室温激射,它证明了镓氮砷(GaAs)基器件在1.2至1.6微米波段的全面应用的可行性,为进一步实现在光通讯、光互联中应用的实用化和产业化展示了光明的前景。

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